Производитель Номер продукта:
TK9J90E,S1E
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK9J90E,S1E-DG
Описание:
MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
Подробное описание:
N-Channel 900 V 9A (Ta) 250W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Инвентаризация:
12890645
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK9J90E,S1E Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
900 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.3Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 900µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2000 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
250W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-3P(N)
Упаковка / Чехол
TO-3P-3, SC-65-3
Базовый номер продукта
TK9J90
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
25
Другие названия
TK9J90E,S1E(S
TK9J90ES1E
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TK9A65W,S5X
MOSFET N-CH 650V 9.3A TO220SIS
2SJ610(TE16L1,NQ)
MOSFET P-CH 250V 2A PW-MOLD
TPN2010FNH,L1Q
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
