Производитель Номер продукта:
TK10Q60W,S1VQ
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK10Q60W,S1VQ-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
Подробное описание:
N-Channel 600 V 9.7A (Ta) 80W (Tc) Through Hole I-Pak
Инвентаризация:
75 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12890659
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK10Q60W,S1VQ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tube
Серия
DTMOSIV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9.7A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
430mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.7V @ 500µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
700 pF @ 300 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
80W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
I-PAK
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Базовый номер продукта
TK10Q60
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
75
Другие названия
TK10Q60WS1VQ
TK10Q60W,S1VQ(S
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TK8Q60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 8A IPAK
TK14A65W,S5X
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220SIS
SSM3J120TU,LF
MOSFET P-CH 20V 4A UFM