Производитель Номер продукта:
2SJ610(TE16L1,NQ)
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
2SJ610(TE16L1,NQ)-DG
Описание:
MOSFET P-CH 250V 2A PW-MOLD
Подробное описание:
P-Channel 250 V 2A (Ta) 20W (Ta) Surface Mount PW-MOLD
Инвентаризация:
12890656
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2SJ610(TE16L1,NQ) Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
250 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.55Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
381 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
20W (Ta)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PW-MOLD
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
2SJ610
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TPN2010FNH,L1Q
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
TK10Q60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
TK8Q60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 8A IPAK
