Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
FCP110N65F
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FCP110N65F-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 35A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 650 V 35A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-220-3
Инвентаризация:
800 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12850590
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FCP110N65F Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tube
Серия
FRFET®, SuperFET® II
Статус продукта
Not For New Designs
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
110mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 3.5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4895 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
357W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
FCP110
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
FCP110N65F
HTML Спецификация
FCP110N65F-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
FCP110N65FOS
FCP110N65F-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STP30N65M5
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
5189
Номер части
STP30N65M5-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
3.17
Тип замещения
Similar
Номер детали
FCH110N65F-F155
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Fairchild Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
69
Номер части
FCH110N65F-F155-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
4.26
Тип замещения
Parametric Equivalent
Номер детали
STP40N65M2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
37
Номер части
STP40N65M2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.57
Тип замещения
Similar
Номер детали
STP35N60DM2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
STP35N60DM2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.54
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
R6004END3TL1
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
FQH18N50V2
MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
FDMC8622
MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP
FDU3706
MOSFET N-CH 20V 14.7A/50A IPAK