Производитель Номер продукта:
FDU3706
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDU3706-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 14.7A/50A IPAK
Подробное описание:
N-Channel 20 V 14.7A (Ta), 50A (Tc) 3.8W (Ta), 44W (Tc) Through Hole I-PAK
Инвентаризация:
12850597
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDU3706 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
14.7A (Ta), 50A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9mOhm @ 16.2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
23 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1882 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.8W (Ta), 44W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
I-PAK
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Базовый номер продукта
FDU37
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
75
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
R6006JND3TL1
MOSFET N-CH 600V 6A TO252
FDN361BN
MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3
R6006KND3TL1
MOSFET N-CH 600V 6A TO252
