Производитель Номер продукта:
FDFMA2N028Z
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDFMA2N028Z-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Подробное описание:
N-Channel 20 V 3.7A (Ta) 1.4W (Tj) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Инвентаризация:
464 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12849892
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDFMA2N028Z Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Cut Tape (CT)
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3.7A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
455 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
Schottky Diode (Isolated)
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.4W (Tj)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
6-MicroFET (2x2)
Упаковка / Чехол
6-VDFN Exposed Pad
Базовый номер продукта
FDFMA2
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
FDFMA2N028ZTR
FDFMA2N028ZDKR
FDFMA2N028ZCT
1990-FDFMA2N028ZDKR
1990-FDFMA2N028ZCT
1990-FDFMA2N028ZTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
FDFMA2N028Z
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
464
Номер части
FDFMA2N028Z-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.38
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
