Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
FQAF58N08
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FQAF58N08-DG
Описание:
MOSFET N-CH 80V 44A TO3PF
Подробное описание:
N-Channel 80 V 44A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-3PF
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12848799
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FQAF58N08 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
QFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
44A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
24mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1900 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
85W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-3PF
Упаковка / Чехол
TO-3P-3 Full Pack
Базовый номер продукта
FQAF5
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
FQAF58N08
HTML Спецификация
FQAF58N08-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IXTQ75N10P
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3
Номер части
IXTQ75N10P-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.44
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDMC4435BZ-F126
MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
NDC652P
MOSFET P-CH 30V 2.4A SUPERSOT6
NVMFS5A160PLZWFT1G
MOSFET P-CH 60V 15A/100A 5DFN
AOT4N60
MOSFET N-CH 600V 4A TO220