Производитель Номер продукта:
NSBC115TDP6T5G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NSBC115TDP6T5G-DG
Описание:
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 339mW Surface Mount SOT-963
Инвентаризация:
12856106
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NSBC115TDP6T5G Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивах биполярных транзисторов, предварительно смещенных
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Last Time Buy
Тип транзистора
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
Резистор - база (R1)
100kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
-
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
160 @ 5mA, 10V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
250mV @ 5mA, 10mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA
Частота - переход
-
Мощность - Макс
339mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SOT-963
Комплект устройства поставщика
SOT-963
Базовый номер продукта
NSBC115
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
8,000
Другие названия
2832-NSBC115TDP6T5GTR
2156-NSBC115TDP6T5G-OS
ONSONSNSBC115TDP6T5G
2832-NSBC115TDP6T5G-488
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NSBA124EDXV6T1G
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
NSBA114TDXV6T5G
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
NSBA113EDXV6T1G
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563