Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
NTMFS4D2N10MDT1G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NTMFS4D2N10MDT1G-DG
Описание:
N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
Подробное описание:
N-Channel 100 V 16.4A (Ta), 113A (Tc) 2.8W (Ta), 132W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12950497
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NTMFS4D2N10MDT1G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
16.4A (Ta), 113A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.3mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 239µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3100 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.8W (Ta), 132W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN, 5 Leads
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
NTMFS4D2N10MDT1G
HTML Спецификация
NTMFS4D2N10MDT1G-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,500
Другие названия
488-NTMFS4D2N10MDT1GTR
488-NTMFS4D2N10MDT1GDKR
488-NTMFS4D2N10MDT1GCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
RS6P100BHTB1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2725
Номер части
RS6P100BHTB1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.35
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTMT110N65S3HF
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
NTHL095N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
NTP125N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
NTP165N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE