NTP165N65S3H
Производитель Номер продукта:

NTP165N65S3H

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

NTP165N65S3H-DG

Описание:

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Подробное описание:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 142W (Tc) Through Hole TO-220-3

Инвентаризация:

523 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12950501
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

NTP165N65S3H Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tube
Серия
SuperFET® III
Статус продукта
Not For New Designs
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
165mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1.6mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1808 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
142W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50
Другие названия
488-NTP165N65S3H

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
MSJP20N65A-BP
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Micro Commercial Co
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
30050
Номер части
MSJP20N65A-BP-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.47
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

NTP067N65S3H

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

onsemi

NTBGS002N06C

POWER MOSFET, 60 V, 2.2 M?, 211

onsemi

NTH4LN095N65S3H

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

onsemi

NTMFS1D7N03CGT1G

MOSFET, POWER, 30V N-CHANNEL, SO