NVMTS1D2N08H
Производитель Номер продукта:

NVMTS1D2N08H

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

NVMTS1D2N08H-DG

Описание:

MOSFET N-CH 80V 43.5A/337A 8DFNW
Подробное описание:
N-Channel 80 V 43.5A (Ta), 337A (Tc) 5W (Ta), 300W (Tc) Surface Mount 8-DFNW (8.3x8.4)

Инвентаризация:

12938876
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

NVMTS1D2N08H Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
43.5A (Ta), 337A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.1mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 590µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
147 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
10100 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
5W (Ta), 300W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-DFNW (8.3x8.4)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
NVMTS1

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
488-NVMTS1D2N08HDKR
NVMTS1D2N08H-DG
488-NVMTS1D2N08HCT
488-NVMTS1D2N08HTR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

IRF630PBF

MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB

onsemi

NVMFS6H801NWFT1G

MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN

onsemi

NTP6412ANG

MOSFET N-CH 100V 58A TO220AB

onsemi

NTMFS4C028NT3G

MOSFET N-CH 30V 16.4A/52A 5DFN