Производитель Номер продукта:
PJMF190N60E1_T0_00001
Product Overview
Производитель:
Panjit International Inc.
Номер детали:
PJMF190N60E1_T0_00001-DG
Описание:
600V SUPER JUNCITON MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 38W (Tc) Through Hole ITO-220AB-F
Инвентаризация:
1931 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12997365
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PJMF190N60E1_T0_00001 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
PANJIT
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
190mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1410 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
38W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
ITO-220AB-F
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Базовый номер продукта
PJMF190
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
3757-PJMF190N60E1_T0_00001
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIR4606DP-T1-GE3
N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
PJMF580N60E1_T0_00001
600V SUPER JUNCITON MOSFET
IPF014N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
