Производитель Номер продукта:
PJMF580N60E1_T0_00001
Product Overview
Производитель:
Panjit International Inc.
Номер детали:
PJMF580N60E1_T0_00001-DG
Описание:
600V SUPER JUNCITON MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 600 V 8A (Tc) 28W (Tc) Through Hole ITO-220AB-F
Инвентаризация:
1966 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12997371
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PJMF580N60E1_T0_00001 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
PANJIT
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
580mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
497 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
28W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
ITO-220AB-F
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Базовый номер продукта
PJMF580
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
3757-PJMF580N60E1_T0_00001
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPF014N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
PJMD900N60EC_L2_00001
600V SUPER JUNCITON MOSFET
FBG20N18BC
GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B
