PJQ4401P-AU_R2_000A1
Производитель Номер продукта:

PJQ4401P-AU_R2_000A1

Product Overview

Производитель:

Panjit International Inc.

Номер детали:

PJQ4401P-AU_R2_000A1-DG

Описание:

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Подробное описание:
P-Channel 30 V 10A (Ta), 50A (Tc) 2W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount DFN3333-8

Инвентаризация:

4564 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12972673
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

PJQ4401P-AU_R2_000A1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
PANJIT
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10A (Ta), 50A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
27 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3228 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2W (Ta), 60W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DFN3333-8
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
PJQ4401

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
5,000
Другие названия
3757-PJQ4401P-AU_R2_000A1TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
PJQ4401P_R2_00001
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Panjit International Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2263
Номер части
PJQ4401P_R2_00001-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.20
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

NTNS4C69NTCG

MOSFET N-CH SMD

panjit

PJQ5440_R2_00001

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

vishay-siliconix

IRFBG30PBF-BE3

MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB

ganpower

GPI65005DF

GANFET N-CH 650V 5A DFN 5X6