Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
R6011ENX
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
R6011ENX-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM
Подробное описание:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
Инвентаризация:
494 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13526553
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
R6011ENX Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
390mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
670 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
40W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220FM
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
R6011
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
R6011ENX
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
R6011ENXCT
R6011ENXCT-ND
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STF18NM80
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
990
Номер части
STF18NM80-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
3.55
Тип замещения
Similar
Номер детали
TK11A65W,S5X
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
81
Номер части
TK11A65W,S5X-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.50
Тип замещения
Similar
Номер детали
IXFP12N65X2M
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
295
Номер части
IXFP12N65X2M-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.80
Тип замещения
Direct
Номер детали
IPAW60R360P7SXKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
81
Номер части
IPAW60R360P7SXKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.90
Тип замещения
Similar
Номер детали
STF16N60M6
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1174
Номер части
STF16N60M6-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.11
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
R6009JNJGTL
MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
RQ3E180GNTB
MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
RD3G500GNTL
MOSFET N-CH 40V 50A TO252
RXH125N03TB1
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOP