Производитель Номер продукта:
R6020YNX3C16
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
R6020YNX3C16-DG
Описание:
NCH 600V 20A, TO-220AB, POWER MO
Подробное описание:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 182W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
975 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13001907
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
R6020YNX3C16 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V, 12V
Rds On (макс.) @ id, vgs
185mOhm @ 6A, 12V
Vgs(th) (Макс) @ Id
6V @ 1.65mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1200 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
182W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
R6020
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
846-R6020YNX3C16
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
ICE35N60W
Superjunction MOSFET
G13P04S
P-40V,-13A,RD(MAX)<15M@-10V,VTH-
GSFU9506
MOSFET, N-CH, SINGLE, 6A, 950V,
