R6024KNZ4C13
Производитель Номер продукта:

R6024KNZ4C13

Product Overview

Производитель:

Rohm Semiconductor

Номер детали:

R6024KNZ4C13-DG

Описание:

MOSFET N-CH 600V 24A TO247
Подробное описание:
N-Channel 600 V 24A (Tc) 245W (Tc) Through Hole TO-247

Инвентаризация:

600 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12966771
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

R6024KNZ4C13 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
165mOhm @ 11.3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2000 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
245W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
R6024

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
30
Другие названия
846-R6024KNZ4C13

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
panjit

PJA138L_R1_00001

SOT-23, MOSFET

stmicroelectronics

STWA30N65DM6AG

MOSFET N-CH 650V 28A TO247

toshiba-semiconductor-and-storage

TPH1R306P1,L1Q

MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP

vishay-siliconix

SIJ128LDP-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 10.2A/25.5A PPAK