Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
R6046FNZ1C9
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
R6046FNZ1C9-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 46A TO247
Подробное описание:
N-Channel 600 V 46A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247
Инвентаризация:
278 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12823329
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
R6046FNZ1C9 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
46A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
98mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6230 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
120W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
R6046FNZ1C9
HTML Спецификация
R6046FNZ1C9-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
450
Другие названия
846-R6046FNZ1C9
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
TK31N60X,S1F
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
20
Номер части
TK31N60X,S1F-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.57
Тип замещения
Similar
Номер детали
STW48N60DM2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
590
Номер части
STW48N60DM2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
3.88
Тип замещения
Similar
Номер детали
IXFL82N60P
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
25
Номер части
IXFL82N60P-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
24.34
Тип замещения
Similar
Номер детали
IXFX64N60P
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
911
Номер части
IXFX64N60P-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
13.25
Тип замещения
Similar
Номер детали
R6050JNZ4C13
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
545
Номер части
R6050JNZ4C13-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
11.16
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
CPC3708CTR
MOSFET N-CH 350V 5MA SOT89
IPU80R1K0CEAKMA1
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
IPD70R900P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3
IRF6644TRPBF
MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET