Производитель Номер продукта:
R6061YNZ4C13
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
R6061YNZ4C13-DG
Описание:
NCH 600V 61A, TO-247, POWER MOSF
Подробное описание:
N-Channel 600 V 61A (Tc) 568W (Tc) Through Hole TO-247
Инвентаризация:
596 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13005798
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
R6061YNZ4C13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
61A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V, 12V
Rds On (макс.) @ id, vgs
60mOhm @ 13A, 12V
Vgs(th) (Макс) @ Id
6V @ 3.5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3700 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
568W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
R6061
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
846-R6061YNZ4C13
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IAUCN04S7N004ATMA1
MOSFET_(20V 40V)
TPH9R00CQ5,LQ
150V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 9M
GAN140-650EBEZ
650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE