Производитель Номер продукта:
R8001CND3FRATL
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
R8001CND3FRATL-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 1A TO252
Подробное описание:
N-Channel 800 V 1A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount TO-252
Инвентаризация:
2437 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12945898
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
R8001CND3FRATL Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.7Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
7.2 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
60 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
36W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
R8001
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
846-R8001CND3FRATLCT
846-R8001CND3FRATLDKR
846-R8001CND3FRATLTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
R8007AND3FRATL
MOSFET N-CH 800V 7A TO252
R8002CND3FRATL
MOSFET N-CH 800V 2A TO252
RRR030P03HZGTL
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
