Производитель Номер продукта:
RJP020N06T100
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
RJP020N06T100-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Подробное описание:
N-Channel 60 V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount MPT3
Инвентаризация:
17831 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13526990
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RJP020N06T100 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
240mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
10 nC @ 4 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
160 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
500mW (Ta)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
MPT3
Упаковка / Чехол
TO-243AA
Базовый номер продукта
RJP020
Технический паспорт и документы
Документы по надежности
Ресурсы для проектирования
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
RJP020N06T100TR
RJP020N06T100DKR
RJP020N06T100CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RCD100N19TL
MOSFET N-CH 190V 10A CPT3
RQ1E075XNTCR
MOSFET N-CH 30V 7.5A TSMT8
SCT3022ALGC11
SICFET N-CH 650V 93A TO247N