Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
RS1E200BNTB
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
RS1E200BNTB-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Подробное описание:
N-Channel 30 V 20A (Ta), 68A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
13525409
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RS1E200BNTB Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A (Ta), 68A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3100 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3W (Ta), 25W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-HSOP
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
RS1E
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
RS1E200BNTB
HSMT8 TB Taping Spec
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
RS1E200BNTBTR
RS1E200BNTBDKR
RS1E200BNTBCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
BSC042N03LSGATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
11717
Номер части
BSC042N03LSGATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.35
Тип замещения
Similar
Номер детали
IRFHM830TRPBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
8408
Номер части
IRFHM830TRPBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.31
Тип замещения
Direct
Номер детали
BSC0906NSATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
10842
Номер части
BSC0906NSATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.20
Тип замещения
Similar
Номер детали
CSD17577Q5A
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Texas Instruments
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
14744
Номер части
CSD17577Q5A-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.23
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RT1C060UNTR
MOSFET N-CH 20V 6A 8TSST
RQ5A040ZPTL
MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3
RRQ020P03TCR
MOSFET P-CH 30V 2A TSMT6
RRH040P03TB1
MOSFET P-CH 30V 4A 8SOP