Производитель Номер продукта:
SCT2750NYTB
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
SCT2750NYTB-DG
Описание:
SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268
Подробное описание:
N-Channel 1700 V 5.9A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount TO-268
Инвентаризация:
13526682
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SCT2750NYTB Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1700 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5.9A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
18V
Rds On (макс.) @ id, vgs
975mOhm @ 1.7A, 18V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 630µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
17 nC @ 18 V
Vgs (макс.)
+22V, -6V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
275 pF @ 800 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
57W (Tc)
Рабочая температура
175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-268
Упаковка / Чехол
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Базовый номер продукта
SCT2750
Технический паспорт и документы
Документы по надежности
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
400
Другие названия
SCT2750NYTBDKR
SCT2750NYTBTR
SCT2750NYTBCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
G2R1000MT17J
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
GeneSiC Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
13576
Номер части
G2R1000MT17J-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
5.86
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SCT3030ALGC11
SICFET N-CH 650V 70A TO247N
RDX080N50FU6
MOSFET N-CH 500V 8A TO220FM
RQ6E085BNTCR
MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457