Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
SCT2750NYTB
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
SCT2750NYTB-DG
Описание:
SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268
Подробное описание:
N-Channel 1700 V 5.9A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount TO-268
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
13526682
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SCT2750NYTB Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1700 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5.9A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
18V
Rds On (макс.) @ id, vgs
975mOhm @ 1.7A, 18V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 630µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
17 nC @ 18 V
Vgs (макс.)
+22V, -6V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
275 pF @ 800 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
57W (Tc)
Рабочая температура
175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-268
Упаковка / Чехол
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Базовый номер продукта
SCT2750
Технический паспорт и документы
Документы по надежности
MOS-2GSMD Reliability Test
Технические характеристики
SCT2750NYTB
TO-268-2L Taping Spec
Дополнительная информация
Стандартный пакет
400
Другие названия
SCT2750NYTBDKR
SCT2750NYTBTR
SCT2750NYTBCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
G2R1000MT17J
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
GeneSiC Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
13576
Номер части
G2R1000MT17J-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
5.86
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SCT3030ALGC11
SICFET N-CH 650V 70A TO247N
RDX080N50FU6
MOSFET N-CH 500V 8A TO220FM
RQ6E085BNTCR
MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457
SCT2080KEHRC11
SICFET N-CH 1200V 40A TO247N