STB40N60M2
Производитель Номер продукта:

STB40N60M2

Product Overview

Производитель:

STMicroelectronics

Номер детали:

STB40N60M2-DG

Описание:

MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 600 V 34A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Инвентаризация:

775 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12873737
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
UsiN
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

STB40N60M2 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
MDmesh™ II Plus
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
88mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2500 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
250W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
STB40

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1,000
Другие названия
497-14963-6
497-14963-2
497-14963-1

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
stmicroelectronics

STP11NM60A

MOSFET N-CH 600V 11A TO220AB

stmicroelectronics

STP9NK70Z

MOSFET N-CH 700V 7.5A TO220AB

stmicroelectronics

STD3NM60-1

MOSFET N-CH 600V 3A IPAK

stmicroelectronics

STQ2LN60K3-AP

MOSFET N-CH 600V 600MA TO92-3