Производитель Номер продукта:
SSM6N815R,LF
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
SSM6N815R,LF-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
Подробное описание:
Mosfet Array 100V 2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 6-TSOP-F
Инвентаризация:
1051 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12889329
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SSM6N815R,LF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSVIII-H
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate, 4V Drive
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Rds On (макс.) @ id, vgs
103mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
3.1nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
290pF @ 15V
Мощность - Макс
1.8W (Ta)
Рабочая температура
150°C
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-SMD, Flat Leads
Комплект устройства поставщика
6-TSOP-F
Базовый номер продукта
SSM6N815
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SSM6N815RLFTR
SSM6N815RLFCT
SSM6N815R,LF(B
SSM6N815R,LF(T
SSM6N815RLF
SSM6N815RLF(B
SSM6N815RLFDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMN2300UFL4-7
MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN
SSM6N357R,LF
MOSFET 2N-CH 60V 0.65A 6TSOPF
SSM6N35AFE,LF
MOSFET 2N-CH 20V 0.25A ES6