TK11S10N1L,LXHQ
Производитель Номер продукта:

TK11S10N1L,LXHQ

Product Overview

Производитель:

Toshiba Semiconductor and Storage

Номер детали:

TK11S10N1L,LXHQ-DG

Описание:

MOSFET N-CH 100V 11A DPAK
Подробное описание:
N-Channel 100 V 11A (Ta) 65W (Tc) Surface Mount DPAK+

Инвентаризация:

3899 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12943586
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

TK11S10N1L,LXHQ Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSVIII-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
28mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
850 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
65W (Tc)
Рабочая температура
175°C
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DPAK+
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
TK11S10

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,000
Другие названия
TK11S10N1L,LXHQ(O
264-TK11S10N1LLXHQCT
264-TK11S10N1LLXHQDKR
264-TK11S10N1LLXHQTR

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
toshiba-semiconductor-and-storage

TK33S10N1L,LXHQ

MOSFET N-CH 100V 33A DPAK

toshiba-semiconductor-and-storage

TK160F10N1L,LXGQ

MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM

epc

EPC2218

GANFET N-CH 100V DIE

stmicroelectronics

STD18N65M2-EP

MOSFET N-CH 650V 11A DPAK