Производитель Номер продукта:
SI1032X-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI1032X-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
Подробное описание:
N-Channel 20 V 200mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
Инвентаризация:
6434 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12912401
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI1032X-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.75 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±6V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
300mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SC-89-3
Упаковка / Чехол
SC-89, SOT-490
Базовый номер продукта
SI1032
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI1032X-T1-GE3TR
SI1032X-T1-GE3CT
SI1032X-T1-GE3DKR
SI1032XT1GE3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFU310
MOSFET N-CH 400V 1.7A TO251AA
SI7370ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 50A PPAK SO-8
SI7476DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
