Производитель Номер продукта:
SI2303CDS-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI2303CDS-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Подробное описание:
P-Channel 30 V 2.7A (Tc) 1W (Ta), 2.3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Инвентаризация:
15853 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12916804
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI2303CDS-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.7A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
190mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
155 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1W (Ta), 2.3W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23-3 (TO-236)
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
SI2303
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI2303CDS-T1-GE3CT
SI2303CDS-T1-GE3DKR
SI2303CDS-T1-GE3TR
SI2303CDST1GE3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQ1470AEH-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT363 SC70
SIHG039N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 63A TO247AC
SIR698DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8
