SI4431CDY-T1-GE3
Производитель Номер продукта:

SI4431CDY-T1-GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SI4431CDY-T1-GE3-DG

Описание:

MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Подробное описание:
P-Channel 30 V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Инвентаризация:

65416 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12918510
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SI4431CDY-T1-GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
32mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1006 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 4.2W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовый номер продукта
SI4431

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
SI4431CDYT1GE3
SI4431CDY-T1-GE3DKR
SI4431CDY-T1-GE3CT
SI4431CDY-T1-GE3TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SI4406DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 13A 8SO

vishay-siliconix

SI3879DV-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP

vishay-siliconix

SIHD1K4N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA

vishay-siliconix

SI4688DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO