Производитель Номер продукта:
SI4448DY-T1-E3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI4448DY-T1-E3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 12V 50A 8SO
Подробное описание:
N-Channel 12 V 50A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Инвентаризация:
12915431
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI4448DY-T1-E3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.7mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
150 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
12350 pF @ 6 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовый номер продукта
SI4448
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
SI4448DY-T1-GE3TR-DG
SI4448DY-T1-E3CT
SI4448DY-T1-GE3TR
SI4448DY-T1-E3TR
SI4448DYT1E3
SI4448DY-T1-GE3DKR
SI4448DY-T1-GE3CT-DG
SI4448DY-T1-GE3CT
SI4448DY-T1-E3DKR
SI4448DY-T1-GE3DKR-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI7852ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
IRFS11N50APBF
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
SI7848BDP-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
