Производитель Номер продукта:
SI4466DY-T1-E3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI4466DY-T1-E3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 9.5A 8SO
Подробное описание:
N-Channel 20 V 9.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Инвентаризация:
12917340
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI4466DY-T1-E3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9.5A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
60 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.5W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовый номер продукта
SI4466
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
SI4466DYT1E3
SI4466DY-T1-E3DKR
SI4466DY-T1-E3TR
SI4466DY-T1-E3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
DMN2009LSS-13
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1816
Номер части
DMN2009LSS-13-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.22
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PMV15ENEAR
MOSFET N-CH 30V 6.2A TO236AB
SI1077X-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V SC89-6
SIRA34DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
