Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
SI7326DN-T1-E3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI7326DN-T1-E3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
Подробное описание:
N-Channel 30 V 6.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12918620
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI7326DN-T1-E3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6.5A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
19.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.8V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
13 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±25V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.5W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 1212-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 1212-8
Базовый номер продукта
SI7326
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
SI7326DN-T1-E3
HTML Спецификация
SI7326DN-T1-E3-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI7326DN-T1-E3CT
SI7326DN-T1-E3DKR
SI7326DN-T1-E3-DG
SI7326DN-T1-E3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
RQ1E070RPTR
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
7064
Номер части
RQ1E070RPTR-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.41
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
DMN3027LFG-7
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2854
Номер части
DMN3027LFG-7-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.21
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
RQ3E080BNTB
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
40431
Номер части
RQ3E080BNTB-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.10
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
RQ3E075ATTB
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4689
Номер части
RQ3E075ATTB-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.42
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
DMN3018SFG-7
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2000
Номер части
DMN3018SFG-7-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.10
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI7840BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
SIE800DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50A 10POLARPAK
SUM70040M-GE3
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7
SI7655DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S