Производитель Номер продукта:
SI8816EDB-T2-E1
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI8816EDB-T2-E1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
Подробное описание:
N-Channel 30 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
Инвентаризация:
12786731
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI8816EDB-T2-E1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
109mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
195 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
500mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
4-Microfoot
Упаковка / Чехол
4-XFBGA
Базовый номер продукта
SI8816
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI8816EDB-T2-E1CT
SI8816EDB-T2-E1TR
SI8816EDB-T2-E1DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIDR626DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 42.8A/100A PPAK
SIR472DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
SQ2398ES-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
