Производитель Номер продукта:
SIR472DP-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIR472DP-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
Подробное описание:
N-Channel 30 V 20A (Tc) 3.9W (Ta), 29.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
12786733
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIR472DP-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
12mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
820 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.9W (Ta), 29.8W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SIR472
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIR472DP-T1-GE3DKR
SIR472DPT1GE3
SIR472DP-T1-GE3TR
SIR472DP-T1-GE3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
BSC120N03MSGATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
28843
Номер части
BSC120N03MSGATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.19
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
CSD17327Q5A
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Texas Instruments
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2500
Номер части
CSD17327Q5A-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.33
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
RS1E130GNTB
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1178
Номер части
RS1E130GNTB-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.16
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
BSC120N03LSGATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
33689
Номер части
BSC120N03LSGATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.17
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQ2398ES-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
SQJ463EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
SIR606BDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK