Производитель Номер продукта:
SIB413DK-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIB413DK-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
Подробное описание:
P-Channel 20 V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
Инвентаризация:
12966467
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIB413DK-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
75mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
7.63 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
357 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SC-75-6
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SC-75-6
Базовый номер продукта
SIB413
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIB413DK-T1-GE3CT
SIB413DKT1GE3
SIB413DK-T1-GE3DKR
SIB413DK-T1-GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SIB433EDK-T1-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
SIB433EDK-T1-GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.14
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
MCAC80N10Y-TP
MOSFET N-CH 100V 80A DFN5060
SUD35N10-26P-GE3
MOSFET N-CH 100V 35A TO252
IXTQ48N65X2M
DISCRETE MOSFET 48A 650V X2 TO3P