Производитель Номер продукта:
SIHB085N60EF-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHB085N60EF-GE3-DG
Описание:
E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Подробное описание:
N-Channel 600 V 34A (Tc) 184W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентаризация:
2000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12991421
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHB085N60EF-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
EF
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
84mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2733 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
184W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
SIHB085
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
742-SIHB085N60EF-GE3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQS460CENW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
SI2307A
30V 3A 1.25W 80MR@10V,3A 3V@250A
AO3416A
20V 6.5A [email protected],6.5A 1.4W 1.1
