Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
SIHP24N65E-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHP24N65E-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12921038
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHP24N65E-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
145mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2740 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
250W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
SIHP24
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
SIHP24N65E-GE3
HTML Спецификация
SIHP24N65E-GE3-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
SIHP24N65E-GE3CT
SIHP24N65E-GE3CT-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STP24N60M2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
189
Номер части
STP24N60M2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.21
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
SPP24N60C3XKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
129
Номер части
SPP24N60C3XKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.95
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STP24NM60N
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
486
Номер части
STP24NM60N-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.39
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STP30N65M5
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
5189
Номер части
STP30N65M5-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
3.17
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STP33N60M2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
727
Номер части
STP33N60M2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.08
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQJ469EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
SISS26DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK1212-8S
2N7002L
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
SIJ400DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8