SIJH800E-T1-GE3
Производитель Номер продукта:

SIJH800E-T1-GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SIJH800E-T1-GE3-DG

Описание:

N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 80 V 29A (Ta), 299A (Tc) 3.3W (Ta), 333W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8

Инвентаризация:

2396 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12964733
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SIJH800E-T1-GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen IV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
29A (Ta), 299A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
7.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.55mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
10230 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.3W (Ta), 333W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 8 x 8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 8 x 8

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,000
Другие названия
742-SIJH800E-T1-GE3TR
742-SIJH800E-T1-GE3CT
742-SIJH800E-T1-GE3DKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
panjit

PJC7438_R1_00001

SOT-323, MOSFET

vishay-siliconix

SQJ180EP-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)

onsemi

FDT4N50NZU

POWER MOSFET, N-CHANNEL, UNIFETI

panjit

PJA3411_R1_00001

SOT-23, MOSFET