SQJ180EP-T1_GE3
Производитель Номер продукта:

SQJ180EP-T1_GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SQJ180EP-T1_GE3-DG

Описание:

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Подробное описание:
N-Channel 80 V 248A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Инвентаризация:

12964749
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SQJ180EP-T1_GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen IV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
248A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6645 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
500W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SQJ180EP-T1_GE3TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

FDT4N50NZU

POWER MOSFET, N-CHANNEL, UNIFETI

panjit

PJA3411_R1_00001

SOT-23, MOSFET

toshiba-semiconductor-and-storage

TPHR9203PL1,LQ

UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ

vishay-siliconix

SIHG22N65E-GE3

MOSFET N-CH 650V 22A TO247AC