SIR668DP-T1-RE3
Производитель Номер продукта:

SIR668DP-T1-RE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SIR668DP-T1-RE3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8
Подробное описание:
N-Channel 100 V 95A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Инвентаризация:

10175 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12920948
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SIR668DP-T1-RE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen IV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
95A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
7.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
83 nC @ 7.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5400 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
104W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SIR668

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIR668DP-T1-RE3CT
SIR668DP-T1-RE3TR
SIR668DP-T1-RE3DKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
toshiba-semiconductor-and-storage

TPN7R006PL,L1Q

MOSFET N-CH 60V 54A 8TSON

toshiba-semiconductor-and-storage

TPN2R903PL,L1Q

MOSFET N-CH 30V 70A 8TSON

toshiba-semiconductor-and-storage

TPN7R504PL,LQ

MOSFET N-CH 40V 38A 8TSON

toshiba-semiconductor-and-storage

TPWR6003PL,L1Q

MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP