Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
SIR668DP-T1-RE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIR668DP-T1-RE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8
Подробное описание:
N-Channel 100 V 95A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
10175 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12920948
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIR668DP-T1-RE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen IV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
95A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
7.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
83 nC @ 7.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5400 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
104W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SIR668
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
SIR668DP-T1-RE3
HTML Спецификация
SIR668DP-T1-RE3-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIR668DP-T1-RE3CT
SIR668DP-T1-RE3TR
SIR668DP-T1-RE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TPN7R006PL,L1Q
MOSFET N-CH 60V 54A 8TSON
TPN2R903PL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 70A 8TSON
TPN7R504PL,LQ
MOSFET N-CH 40V 38A 8TSON
TPWR6003PL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP