SIR826ADP-T1-GE3
Производитель Номер продукта:

SIR826ADP-T1-GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SIR826ADP-T1-GE3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Подробное описание:
N-Channel 80 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Инвентаризация:

12787405
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SIR826ADP-T1-GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.8V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2800 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SIR826

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIR826ADPT1GE3
SIR826ADP-T1-GE3DKR
SIR826ADP-T1-GE3CT
SIR826ADP-T1-GE3TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
RS3L045GNGZETB
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1173
Номер части
RS3L045GNGZETB-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.25
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STL130N8F7
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
5334
Номер части
STL130N8F7-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.24
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
BSC057N08NS3GATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
14602
Номер части
BSC057N08NS3GATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.75
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
RS6N120BHTB1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1763
Номер части
RS6N120BHTB1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.14
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
RS1L145GNTB
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1003
Номер части
RS1L145GNTB-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.81
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SIHB12N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK

vishay-siliconix

SQ2319ADS-T1_GE3

MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3

vishay-siliconix

SIS106DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 9.8A/16A PPAK

vishay-siliconix

SIS472ADN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 24A PPAK1212-8