Производитель Номер продукта:
SIRA18DP-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIRA18DP-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8
Подробное описание:
N-Channel 30 V 33A (Tc) 3.3W (Ta), 14.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
111 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12786491
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIRA18DP-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
21.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
+20V, -16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1000 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.3W (Ta), 14.7W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SIRA18
Технический паспорт и документы
Чертежи изделий
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIRA18DPT1GE3
SIRA18DP-T1-GE3TR
SIRA18DP-T1-GE3DKR
2266-SIRA18DP-T1-GE3
SIRA18DP-T1-GE3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
RS3E095BNGZETB
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2500
Номер части
RS3E095BNGZETB-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.29
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
RXH070N03TB1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2498
Номер части
RXH070N03TB1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.32
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
RS1E130GNTB
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1178
Номер части
RS1E130GNTB-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.16
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
RS1E150GNTB
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2280
Номер части
RS1E150GNTB-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.18
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQJA02EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
SIR496DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
SIHP24N65E-E3
MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
