Производитель Номер продукта:
SIS435DNT-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIS435DNT-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8
Подробное описание:
P-Channel 20 V 30A (Tc) 3.7W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Инвентаризация:
4378 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12919270
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIS435DNT-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5.4mOhm @ 13A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
900mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
180 nC @ 8 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5700 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.7W (Ta), 39W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 1212-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 1212-8
Базовый номер продукта
SIS435
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIS435DNT-T1-GE3TR
SIS435DNT-T1-GE3DKR
SIS435DNT-T1-GE3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SUD19N20-90-E3
MOSFET N-CH 200V 19A TO252
SI4409DY-T1-E3
MOSFET P-CH 150V 1.3A 8SO
SUP85N02-03-E3
MOSFET N-CH 20V 85A TO220AB
