SISA88DN-T1-GE3
Производитель Номер продукта:

SISA88DN-T1-GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SISA88DN-T1-GE3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 30V 16.2A/40.5A PPAK
Подробное описание:
N-Channel 30 V 16.2A (Ta), 40.5A (Tc) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Инвентаризация:

36506 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12786444
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SISA88DN-T1-GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen IV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
16.2A (Ta), 40.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.7mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
25.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
+20V, -16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
985 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 1212-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 1212-8
Базовый номер продукта
SISA88

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SISA88DN-T1-GE3TR
SISA88DN-T1-GE3DKR
SISA88DN-T1-GE3CT
SISA88DN-T1-GE3-DG

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SQSA80ENW-T1_GE3

MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SIS439DNT-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S

vishay-siliconix

SIR165DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SQS462EN-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8