Производитель Номер продукта:
SQ3426AEEV-T1_GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQ3426AEEV-T1_GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
Подробное описание:
N-Channel 60 V 7A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Инвентаризация:
9982 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12965811
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQ3426AEEV-T1_GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
42mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
700 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
6-TSOP
Упаковка / Чехол
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Базовый номер продукта
SQ3426
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SQ3426AEEV-T1_GE3CT
SQ3426AEEV-T1_GE3DKR
SQ3426AEEV-T1-GE3
SQ3426AEEV-T1_GE3-DG
SQ3426AEEV-T1_GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI4876DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 14A 8SO
SQJ431AEP-T1_GE3
MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
SI3443CDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
