Производитель Номер продукта:
SQD07N25-350H_GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQD07N25-350H_GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 250V 7A TO252AA
Подробное описание:
N-Channel 250 V 7A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Инвентаризация:
12965545
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQD07N25-350H_GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
250 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
350mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1205 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
71W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
SQD07
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
SQD07N25-350H_GE3DKR
SQD07N25-350H_GE3TR
SQD07N25-350H_GE3CT
SQD07N25-350H_GE3-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PJQ2416_R1_00001
DFN2020B-6L, MOSFET
IPT014N08NM5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 37A/331A HSOF-8
SIRA58ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
