Производитель Номер продукта:
SQM50P04-09L_GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQM50P04-09L_GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CHANNEL 40V 50A TO263
Подробное описание:
P-Channel 40 V 50A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентаризация:
1501 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12918023
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQM50P04-09L_GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6045 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
150W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
SQM50
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Другие названия
SQM50P04-09L_GE3DKR
SQM50P04-09L_GE3CT
SQM50P04-09L_GE3TR
SQM50P04-09L_GE3-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIB422EDK-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 9A PPAK SC75-6
SI7116DN-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK1212-8
SI5480DU-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
