SUM65N20-30-E3
Производитель Номер продукта:

SUM65N20-30-E3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SUM65N20-30-E3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 200V 65A TO263
Подробное описание:
N-Channel 200 V 65A (Tc) 3.75W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Инвентаризация:

5214 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12786003
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SUM65N20-30-E3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
30mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5100 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.75W (Ta), 375W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
SUM65

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
800
Другие названия
SUM65N20-30-E3CT
SUM65N20-30-E3-DG
SUM65N20-30-E3TR
SUM65N2030E3
SUM65N20-30-E3DKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SQD40131EL_GE3

MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA

vishay-siliconix

SQJ454EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 200V 13A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIUD406ED-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 500MA PPAK 0806

vishay-siliconix

SQS460EN-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8