Производитель Номер продукта:
SI7190ADP-T1-RE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI7190ADP-T1-RE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 250V 4.3A/14.4A PPAK
Подробное описание:
N-Channel 250 V 4.3A (Ta), 14.4A (Tc) 5W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
5855 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13060415
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI7190ADP-T1-RE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
ThunderFET®
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Состояние детали
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
250 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.3A (Ta), 14.4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
7.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
102mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
22.4 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
860 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
5W (Ta), 56.8W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SI7190
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI7190ADP-T1-RE3CT
2266-SI7190ADP-T1-RE3TR
SI7190ADP-T1-RE3TR
SI7190ADP-T1-RE3DKR
SI7190ADP-RE3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI3812DV-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 2A 6TSOP
SI2328DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
SIR626LDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK
