Производитель Номер продукта:
SIS407DN-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIS407DN-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8
Подробное описание:
P-Channel 20 V 25A (Tc) 3.6W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Инвентаризация:
45251 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13007433
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIS407DN-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Состояние детали
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
93.8 nC @ 8 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2760 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.6W (Ta), 33W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 1212-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 1212-8
Базовый номер продукта
SIS407
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIHH11N65E-T1-GE3
MOSFET N-CH 650V 12A PPAK 8 X 8
SQS411ENW-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
SIR184DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK
